| № |
Условие |
Решение
|
Наличие |
| 4-4.085
|
Найти относительное число свободных электронов, скорости которых при Т = 0 К отличаются от средней квадратичной не более чем на n = 2%.
|
под заказ |
нет |
| 4-4.086
|
Выразить среднюю квадратичную скорость < v2 > электронов в металле через максимальную скорость vmax. Найти число свободных электронов в 1 см3, скорости которых лежат в интервале от 0 до при Т = 0 К. Энергия Ферми металла ЕF = 6 эВ.
|
под заказ |
нет |
| 4-4.087
|
Зная закон распределения электронов по энергиям dn(Е), получить распределение электронов по скоростям dn(v). Определить во сколько раз число электронов со скоростями от v кв/2 до vкв больше числа электронов со скоростями от 0 до vкв/2. Электрические свойства твердых тел.
|
под заказ |
нет |
| 4-4.088
|
Определить проводимость чистого германия, если известно, что при температуре t = 0°С один атом из каждых 1,8·109 ионизован. Подвижность электронов и дырок при этой температуре соответственно равны 3900 см2/(В·с) и 1900 см2/(В·с). Плотность германия r = 5,33·10^3 кг/м3, молярная масса германия М = 73·10^(–3) кг/моль.
|
под заказ |
нет |
| 4-4.089
|
Определить удельное сопротивление чистого кремния, если известно, что при температуре Т = 323 К один атом из каждых 3·10^11 ионизован. Подвижность электронов и дырок при этой температуре соответственно равны 1340 см2/(В·с) и 460 см2/(В·с). Плотность кремния r = 2,33·10^3 кг/м3, молярная масса М = 28·10^(–3) кг/моль.
|
под заказ |
нет |
| 4-4.090
|
Собственный полупроводник имеет при некоторой температуре удельное сопротивление r = 0,48 Ом·м. Определить концентрацию n-носителей тока, если подвижность электронов µn = 0,36 м2/(B·с), подвижность дырок µp = 0,16 м2/(B·с).
|
под заказ |
нет |
| 4-4.091
|
Определить подвижность дырок в полупроводнике р-типа, удельное сопротивление которого n = 0,3 Ом·м при концентрации дырок n p = 4·10^19 м–3.
|
под заказ |
нет |
| 4-4.092
|
Удельное сопротивление чистого германия при комнатной температуре равно 0,48 Ом·м. Известно, что если через этот образец проходит ток, то электронами обусловлена n = 0,67 часть этого тока. Определив из этого условия подвижность дырок, найти концентрацию носителей тока. Подвижность электронов равна µp = 0,39·м2/(B·с).
|
под заказ |
нет |
| 4-4.093
|
Образец германия n-типа имеет удельное сопротивление 1,5 Ом·м и значение постоянной Холла Rx = 5,4·10^3 см3/Кл. Определить концентрацию основных носителей и подвижность.
|
под заказ |
нет |
| 4-4.094
|
Определить подвижность электронов в германии n-типа, для которого при некоторых условиях удельное сопротивление r = 1,6·10^(-2) Ом·м и коэффициент Холла 7·10^(–3) м3/Кл.
|
под заказ |
нет |
| 4-4.095
|
Удельная проводимость кремния с примесями r = 112 См/м. Определить подвижность дырок и их концентрацию, если постоянная Холла RХ = 3,66·10^(-4) м3/Кл. Принять, что полупроводник обладает только дырочной проводимостью.
|
под заказ |
нет |
| 4-4.096
|
Вычислить удельную проводимость примесного n-типа кристалла Si, если коэффициент Холла для него RХ = -2,7·10^(-4)м3/Кл, а подвижность электронов µn = 0,16 м2/(B·с).
|
под заказ |
нет |
| 4-4.097
|
Вывести выражение для концентрации дырок np в донорном полупроводнике через концентрацию доноров Nd, и собственных носителей ni. Вычислить концентрацию дырок np, если концентрация собственных носителей ni для германия при температуре T = 300 К равна 4·10^19 м-3, а концентрация электронов nе = 1,005Nd.
|
под заказ |
нет |
| 4-4.098
|
Удельная проводимость металла 10 МСм/м. Вычислить среднюю длину свободного пробега электронов в металле, если концентрация свободных электронов 10^28 м–3. Среднюю скорость хаотического движения принять равной 1 Мм/с.
|
под заказ |
нет |
| 4-4.099
|
При комнатной температуре электропроводность образца собственного кремния равна 4,3·10^(-4) См/м. Какова концентрация собственных носителей тока? Если через образец проходит ток, то какая часть этого тока обусловлена электронами? Подвижность электронов и дырок кремния соответственно равны µn = 0,135 и µр = 0,048 м2/(В·с).
|
под заказ |
нет |
| 4-4.100
|
Определить суммарную подвижность электронов и дырок в кремниевом полупроводнике, если известно, что при освещении кремния его сопротивление уменьшилось в n = 1,565 раз и оказалось равным 178 Ом. освещение вызвало появление равного числа электронов и дырок в количестве 8,8·10^17 м–3. Образец кремния имеет форму куба с гранью l = 8 см.
|
под заказ |
нет |
| 4-4.101
|
Полупроводник в виде тонкой пластины высотой d = 1 см и длиной L = 10 см помещен в однородное магнитное поле с индукцией В = 0,2 Тл. Вектор магнитной индукции перпендикулярен плоскости пластины. К концам пластины вдоль L приложено постоянное напряжение U = 300 В. Определить холловскую разность потенциалов, если постоянная Холла RХ = 0,1 м3/Кл, а удельное сопротивление r = 0,5 Ом·м.
|
под заказ |
нет |
| 4-4.102
|
К концам пластины из р-полупроводника (высота d = 10 мм, длина L = 100 мм) приложили разность потенциалов U = 10 В и поместили ее в перпендикулярное однородное магнитное поле с индукцией В = 0,1 Тл. При этом возникает холловская разность потенциалов dfХ = 0,1 В. Найти концентрацию и подвижность дырок, если удельное сопротивление полупроводника равно r = 2 Ом·мм.
|
под заказ |
нет |
| 4-4.103
|
К торцам металлического образца длиной 1см ( по Си X), высотой 9,0 мм (по Си Y) и толщиной 0,2 мм (по Си Z) прикладывается разность потенциалов U = 1,4 В и в положительном направлении Си Х наблюдается ток 10 мА. При наличии вдоль Си Z магнитного поля B = 0,1Тл на образце вдоль Си Y появляется холловское напряжение UX = 10 мВ. Найти: постоянную Холла, знак носителей заряда, концентрацию и подвижность носителей.
|
под заказ |
нет |
| 4-4.104
|
При измерении постоянной Холла пластинку из металла высотой d = 10 мм и длиной l = 50 мм поместили в магнитное поле с индукцией В = 0,5 Тл. К концам пластинки приложили разность потенциалов U = 10 В. При этом холловская разность потенциалов dfХ = 50 мВ и удельное сопротивление ? = 2,5 Ом·см. Найти концентрацию электронов и их подвижность.
|
под заказ |
нет |
| 4-4.105
|
Тонкая пластинка из кремния высотой d = 2 см помещена перпендикулярно линиям индукции однородного магнитного поля. При плотности тока j = 2·10^(–6) A/мм2, направленного вдоль пластины, холловская разность потенциалов оказалась равной dfХ = 2,8 В. Определить концентрацию носителей заряда. Индукция магнитного поля равна B = 0,5 Тл.
|
под заказ |
нет |
| 4-4.106
|
Образец из кремния с примесями р-типа в виде пластины длиной l = 12 см и высотой d = 8 мм помещен в однородное магнитное поле (В = 0,12 Тл) перпендикулярно линиям магнитной индукции. При некотором напряжении, приложенном к концам пластины, возникает холловская разность потенциалов dfх = 1,83·10^(–2) В. Определить приложенное к пластине напряжение, если постоянная Холла Rх = 3,66·10^(-4) м3/Кл. Удельное сопротивление этого образца r = 0,009 Ом·м.
|
под заказ |
нет |
| 4-4.107
|
Медная пластинка имеет длину l = 60 мм, высоту d = 20 мм и ширину a = 0,1мм. При пропускании вдоль пластинки тока i = 10А между точками 1 и 2 наблюдается разность потенциалов U1,2 = 0,51 мВ, разность потенциалов между точками 3 и 4 равна нулю. Если, не выключая тока, создать перпендикулярное к пластине однородное магнитное поле с индукцией В = 0,1 Тл, то между точками 3 и 4 возникает разность потенциалов U3,4 = 0,55 мкВ. Воспользовавшись этими данными, определить для меди концентрацию свободных э |
под заказ |
нет |
| 4-4.108
|
Сопротивление кристалла РbS при температуре t1 = 20°С равно R = 10^4 Ом. Определить его сопротивление при температуре t2 = +80?С. Ширина запрещенной зоны равна длины волны L2 = 0,6 эВ.
|
под заказ |
нет |
| 4-4.109
|
Удельное сопротивление чистого германия при температуре Т = 593 К равно r = 7·10^(-4) Ом·м. Найти удельное сопротивление этого материала при температуре t = 1000°С. Ширина запрещенной зоны длины волны L2 = 0,8 эВ.
|
под заказ |
нет |
| 4-4.110
|
Во сколько раз изменится электропроводность чистого полупроводника при нагревании его от t1 = 20°С до t2 = 300°С? Энергия запрещенной зоны полупроводника равна dE = 0,5 эВ.
|
под заказ |
нет |
| 4-4.111
|
Найти минимальную энергию необходимую для образования пары электрон-дырка в кристалле германия, если его электропроводность при нагревании от t1 = 20°C до t2 = 74°С изменяется в 10 раз.
|
под заказ |
нет |
| 4-4.112
|
Во сколько раз изменится концентрация носителей тока в беспримесном полупроводнике (индии) при нагревании его от t1 = 27°C до t2 = 127?С, если ширина запрещенной зоны данного полупроводника равна 1,4 эВ? Найти концентрацию носителей тока в этом полупроводнике при температуре 127°С.
|
под заказ |
нет |
| 4-4.113
|
Найти минимальную энергию образования пары электрон-дырка в чистом полупроводнике, проводимость которого возрастает в n = 5 раз при увеличении температуры кристалла от T1 = 300 K до T2 = 400 К.
|
под заказ |
нет |
| 4-4.114
|
Ширина запрещенной зоны чистого кремния равна длины волны L2 = 1,11эВ. Об разец был взят при температуре T1 = 300 К, впоследствии его дополнительно нагрели до T2 = 316,5 К. Во сколько раз изменится число электронов проводимости при таком изменении температуры?
|
под заказ |
нет |
