На главную ->Задачи

Условие задачи № 5-380

        >>

При приложении к полупроводниковому диоду обратного смещения ток через диод обладает свойством насыщения. Каков механизм возникновения этого тока? Как изменится ток насыщения при понижении температуры от 20 до 0°С? Диод изготовлен из материала с шириной запрещенной зоны Еg = 0,7 эВ.

Предпросмотр:

substr(При приложении к полупроводниковому диоду обратного смещения ток через диод обладает свойством насыщения. Каков механизм возникновения этого тока? Как изменится ток насыщения при понижении температуры от 20 до 0°С? Диод изготовлен из материала с шириной запрещенной зоны Еg = 0,7 эВ. 
,0,80)

Цена: 40 руб.

Данная задача решена в формате gif.
Платежи автоматом пока отключены.
Сообщите на почту lab4students@yandex.ru или условие задач, или ссылки на каждую задачу.
Новый поиск (в том числе 6000 задач бесплатно)


Точное вхождение
Только решенные 
Бесплатные