| № |
Условие |
Решение
|
Наличие |
| 621
|
Используя теорию Дебая, вычислить удельную теплоемкость железа при температуре 15 К. Принять температуру Дебая для железа равной 467 К. Молярная масса железа 56 г/моль. Условие T<
|
под заказ |
нет | |
| 622
|
Вычислить частоту Дебая для серебра, если при температуре 20 К молярная теплоемкость равна 1,7 Дж/(моль•К).
|
под заказ |
нет |
| 623
|
Вода при температуре 0 oC покрыта слоем льда толщиной 20 см. Температура воздуха равна –10 oC. Определить количество теплоты, переданной водой за время 1 час через поверхность льда площадью 10 см2. Теплопроводность льда 2,2 Вт/(м•К).
|
под заказ |
нет |
| 624
|
Вычислить длину волны фононов в вольфраме, соответствующую частоте w = 0,1wD, если для вольфрама плотность 19,3•10^3 кг/м3, молярная масса 184•10^(-3) кг/моль.
|
под заказ |
нет |
| 625
|
Вычислить среднюю длину свободного пробега фононов в кварце (SiO2), если теплопроводность кварца 13 Вт/(м•К), молярная теплоемкость 44 Дж/(моль•К ) и усредненная скорость звука 5 км/с. Плотность кварца 2,65•10^3 кг/м3.
|
под заказ |
нет |
| 626
|
Температура Дебая для меди равна 309 К. Определить длину волны фононов, соответствующих частоте n = 0,1 nD и усредненную скорость звука в меди. Плотность меди 8,93•10^3 кг/м3, молярная масса 64•10^(-3) кг/моль.
|
под заказ |
нет |
| 627
|
Длина волны фонона, соответствующего частоте w = 0,01 wD, равна 52 нм. Пренебрегая дисперсией звуковых волн, определить температуру Дебая QD, если усредненная скорость звука в кристалле равна 4,8 км/c.
|
под заказ |
нет |
| 628
|
Определить число свободных электронов, которое приходится на один атом Na при при температуре 0 К. Энергия Ферми равна 3,12 эВ, плотность кристалла 970 кг/м3.
|
под заказ |
нет |
| 629
|
Вычислить среднюю кинетическую энергию электронов в металле, если энергия Ферми равна 7 эВ.
|
под заказ |
нет |
| 630
|
Определить максимальную скорость электронов в металле при температуре 0 К, если энергия Ферми равна 5 эВ.
|
под заказ |
нет |
| 631
|
Определить среднюю дрейфовую скорость носителей тока в образце из натрия, если плотность тока, протекающего по образцу, равна 2 А/мм2, плотность кристалла натрия 970 кг/м3, а молярная масса 23 г/моль.
|
под заказ |
нет |
| 632
|
Собственный полупроводник при температуре 300 К имеет сопротивление 5•10^5 Ом. Если его нагреть до температуры 400 К, то его сопротивление уменьшится до 2,5•10^5 Ом. Найти ширину запрещенной зоны.
|
под заказ |
нет |
| 633
|
Кремниевый образец нагревают от температуры 0 С до 10 С. Во сколько раз возрастет его удельная проводимость? Ширину запрещенной зоны принять равной 1,12 эВ.
|
под заказ |
нет |
| 634
|
Образец собственного полупроводника германия при температуре 27 С обладает удельным сопротивлением 0,47 Ом•м . Определить удельную проводимость германия при температуре 127 С. Ширину запрещенной зоны принять равной 0,66 эВ.
|
под заказ |
нет |
| 635
|
Во сколько раз изменится сопротивление германиевого образца, если его охладить от комнатной температуры 20 С до температуры жидкого азота (77 К). Ширину запрещенной зоны считать равной 0,72 эВ.
|
под заказ |
нет |
| 636
|
Для приборов на Снове германия предельная рабочая температура (температура, при которой собственная концентрация носителей тока остановится сравнимой с примесной) равна 75 С. Определить предельную рабочую температуру для приборов на Снове кремния. Ширина запрещенной зоны германия равна 0,72 эВ, а кремния 1,1 эВ.
|
под заказ |
нет |
| 637
|
В чистом германии при температуре 300 К ширина запрещенной зоны равна 0,72 эВ. На сколько надо повысить температуру полупроводника, чтобы концентрация электронов в зоне проводимости увеличилась в два раза?
|
под заказ |
нет |
| 638
|
При температуре 300 К концентрация электронов в зоне проводимости равна 1,5•10^16 м-3. Определить положение энергии Ферми относительно дна зоны проводимости и ширину запрещенной зоны при температуре 0 К. Плотность состояний в зоне проводимости принять равной 2,5•10^25 м-3.
|
под заказ |
нет |
| 639
|
При температуре 300 К удельная электропроводность кремния равна 4,3•10^(-4) Ом-1•м-1 , подвижность электронов 0,135 м2/(В•с), а подвижность дырок 0,048 м2/(В•с). Определить концентрацию собственных носителей. Какая часть полного тока обусловлена электронами?
|
под заказ |
нет |
| 640
|
Определить подвижность носителей тока в кремниевом образце толщиной 10 мкм, имеющем концентрацию электронов 10^18 м-3, если при подаче на образец напряжения 5В через него протекает ток плотностью 2•10^4 А/м2.
|
под заказ |
нет |
| 641
|
При температуре 300 К концентрация ионизированных примесей 10^22 м-3. Найти положение уровня Ферми, приняв плотность состояний у дна зоны проводимости равной 2,5•10^25 м-3.
|
под заказ |
нет |
| 642
|
В образец кремния вводится примесь n-типа с концентрацией 5,0•10^23 м-3. После этого концентрация неосновных носителей в нем при температуре 300 К составляет 2,42•10^10 м-3. Определить концентрацию собственных носителей ni в кремнии при температуре 300 К в предположении, что все примеси ионизированы.
|
под заказ |
нет |
| 643
|
Считается, что полупроводниковый материал пригоден для использования в приборе, если при рабочих температурах концентрация собственных носителей ni< = 1,1•10^20 м-3. Определить максимальную рабочую температуру приборов на Снове арсенида галлия (GaAs), у которого ширина запрещенной зоны равна 1,43 эВ, плотность состояний у дна зоны проводимости 4,7•10^23 м-3, а у потолка валентной зоны 7,0•10^24 м-3. При этом можно считать, что величины ширины запрещенной зоны и плотностей состояний не зависят от т |
под заказ |
нет |
| 644
|
В слиток германия одновременно введены сурьма с концентрацией 8,7•10^20 м-3 и галлий с концентрацией 3,68•10^20м-3. Найти удельную проводимость слитка при условии, что все примесные атомы ионизированы, а подвижность электронов 0,36 м2/(В•с); сурьма является донором, а галлий – акцептором.
|
под заказ |
нет |
| 645
|
Образец германия, имеющий при температуре 300 К собственную удельную проводимость 4,3•10^(-4) Ом-1•м -1 , легирован донорной примесью с концентрацией 1,0•10^21 м-3. Найти концентрацию дырок. Определить, какая часть тока обусловлена дырками. Подвижности электронов и дырок при температуре 300 К принять соответственно равными 0,135 м2/(В•с) и 0,048 м2/(В•с).
|
под заказ |
нет |
| 646
|
В чистом германии концентрация собственных носителей при температуре 300 К равна 2,25•10^19м-3. Подвижности электронов и дырок при этой температуре соответственно равны 0,4 м2/(В•с) и 0,2 м2/(В•с). Определить проводимость чистого германия и германия с концентрацией акцепторов 4,5•10^21 м-3.
|
под заказ |
нет |
| 647
|
Определить коэффициент амбиполярной диффузии в кремнии при температуре 300 К, если концентрация электронов в Si равна 10^11 см-3, а подвижность электронов и дырок соответственно равна 1500 cм2/(В•с) и 500 см2/(В•с). Собственная концентрация носителей 10^10 см-3.
|
под заказ |
нет |
| 648
|
Определить коэффициент амбиполярной диффузии в полупроводнике, если известно, что на расстоянии 0,7 мм от его Свещенной поверхности концентрация неравновесных носителей тока спадает в два раза, а время их жизни равно 500 мкс.
|
под заказ |
нет |
| 649
|
Коэффициент амбиполярной диффузии в полупроводнике равен 25 см2/c, а время жизни неравновесных носителей тока 200 мкс. Определить концентрацию неравновесных носителей тока на расстоянии 0,5 мм от Свещенной поверхности полупроводника, если их концентрация на поверхности 10^15 см-3.
|
под заказ |
нет |
| 650
|
Подвижность дырок в собственном полупроводнике при температуре 300 К равна 600 см2/(В•с). Определить подвижность электронов, если коэффициент амбиполярной диффузии равен 30,5 см2/c.
|
под заказ |
нет |
